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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全(quán菜鸟没有扫码出库直接拿走有什么影响手机上怎么搞)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数(shù)据(jù)等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等菜鸟没有扫码出库直接拿走有什么影响手机上怎么搞竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(菜鸟没有扫码出库直接拿走有什么影响手机上怎么搞shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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