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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自周深是男的还是女的 周深是哪个公司的艺人中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应优势，公(gōng)司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　周深是男的还是女的 周深是哪个公司的艺人g>分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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