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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法远则怨近则不逊是什么意思解释，远则怨,近则不逊律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。远则怨近则不逊是什么意思解释，远则怨,近则不逊>

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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