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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是(shì放在里面睡一晚是什么感受，放里面睡觉是什么样的感受)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。存储器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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