大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售的(de二氧化硫与溴水反应方程式和离子方程式，二氧化硫与溴水反应方程式双线桥)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，202二氧化硫与溴水反应方程式和离子方程式，二氧化硫与溴水反应方程式双线桥2年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游客户转而(ér)采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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