大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 S风采风彩两个词的区别是什么，风采风彩两个词的区别在哪K 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比(风采风彩两个词的区别是什么，风采风彩两个词的区别在哪bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 风采风彩两个词的区别是什么，风采风彩两个词的区别在哪