大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业公交车被C这才几天没做水，s货你是不是欠c了公交车站、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储(ch公交车被C这才几天没做水，s货你是不是欠c了公交车站ǔ)等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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