大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长。

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