大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要不走心是啥意思，不走心是啥意思网络用语大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 不走心是啥意思，不走心是啥意思网络用语