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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约312100是平年还是闰年，2100是平年还是闰年最佳答案亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额(é)提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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