大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎn护舒宝液体卫生巾是什么黑科技，液体卫生巾的弊端g)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，护舒宝液体卫生巾是什么黑科技，液体卫生巾的弊端trong>美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS护舒宝液体卫生巾是什么黑科技，液体卫生巾的弊端 Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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