大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进大学老师最怕什么部门举报高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)大学老师最怕什么部门举报信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国大学老师最怕什么部门举报区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美(měi)国限制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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