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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn燃气热水器是一直开着还是用时开省电，燃气热水器每天晚上需要关吗)查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成(chéng)网络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jī燃气热水器是一直开着还是用时开省电，燃气热水器每天晚上需要关吗ng)在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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