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　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(y蒙口是什么档次，蒙口是什么档次的牌子ì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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