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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存桂l车牌是哪里 桂L车牌号城市代号在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客(k桂l车牌是哪里 桂L车牌号城市代号è)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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