大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公(gōn文章中副标题的格式怎么写，文章中副标题的格式要求g)司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōn文章中副标题的格式怎么写，文章中副标题的格式要求g)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 文章中副标题的格式怎么写，文章中副标题的格式要求