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　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，<双曲线abc的关系公式，双曲线abc的关系式是怎么得来的strong>我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76双曲线abc的关系公式，双曲线abc的关系式是怎么得来的％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将导致(双曲线abc的关系公式，双曲线abc的关系式是怎么得来的zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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