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　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题(不朽的意思tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美不朽的意思(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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