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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络(luò)安(ān)全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审(shěn)查。im医学上是什么意思ff0000; line-height: 24px;'>im医学上是什么意思p>

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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