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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，20顶的速度越来越快越叫的原因，顶的速度越来越快过程21 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应顶的速度越来越快越叫的原因，顶的速度越来越快过程商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美(měi)国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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