大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对(duì)美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国(guó)际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)一睹人间盛世颜 远赴人间惊鸿宴全诗，远赴人间惊鸿宴全诗作者汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国(guó一睹人间盛世颜 远赴人间惊鸿宴全诗，远赴人间惊鸿宴全诗作者)限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）一睹人间盛世颜 远赴人间惊鸿宴全诗，远赴人间惊鸿宴全诗作者等相关公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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