大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

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　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产(chǎ坏垣是什么意思啊，破屋坏垣适合装修吗n)化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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