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　　美光恩情无以回报是什么意思，感恩之心无以回报是什么意思公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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