大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信同位角的定义和性质和概念，同位角一定相等吗息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关同位角的定义和性质和概念，同位角一定相等吗键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转同位角的定义和性质和概念，同位角一定相等吗而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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