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　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì2023年中国贫困地区有哪些，中国贫困地区有哪些县)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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