大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　济南初中排名前十名(济南中学排名)，济南初中排名前50公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(l济南初中排名前十名(济南中学排名)，济南初中排名前50óng)第一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额提升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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