大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gō抖音我从来没想过我这放荡的灵魂是什么歌，抖音有一首歌什么荡悠悠ng)室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(抖音我从来没想过我这放荡的灵魂是什么歌，抖音有一首歌什么荡悠悠nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产抖音我从来没想过我这放荡的灵魂是什么歌，抖音有一首歌什么荡悠悠已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名(míng)单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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