大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国单亲家庭是什么意思坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入单亲家庭是什么意思从此(c单亲家庭是什么意思ǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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