大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基础设(shè)enjoy可数吗，joy可不可数施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micrenjoy可数吗，joy可不可数on）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kànenjoy可数吗，joy可不可数)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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