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18krgp带钻的值钱吗 项链上的18krgp值钱吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

  据网信办消息,日前(qián),网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

  审(shěn)查发现,美光公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患,对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn),影响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规,我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查(chá),目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(w18krgp带钻的值钱吗 项链上的18krgp值钱吗èn)题危害国家关(guān)键信息基础设施安全,是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中(zhōng)国市场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán),防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn),维护(hù)国家安全,依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》,网络(luò)安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销(xiāo)售的18krgp带钻的值钱吗 项链上的18krgp值钱吗产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国出(chū)手:停止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头,也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī),2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场(chǎng)份额约为 96.76%,三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

  美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降,至少已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng),采购(gòu)约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年(nián),江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì),江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约(yuē),确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性,巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì),公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。

  有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析,如(rú)果美光在中国区销售受到限制,或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士,国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤,同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo),催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露,薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计(jì)为75%。自长江存储被加入(rù)美国限制名单,设备国产化进程(chéng)加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入(rù)增长(zhǎng)。

 

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