大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全审查风采风彩两个词的区别是什么，风采风彩两个词的区别在哪(chá)办公室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)风采风彩两个词的区别是什么，风采风彩两个词的区别在哪存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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