大(dà)家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(s身份证号码倒数第二位是奇数是男性还是女性，身份证号码倒数第二位是奇数的是男性还是女性hù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺身份证号码倒数第二位是奇数是男性还是女性，身份证号码倒数第二位是奇数的是男性还是女性步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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