大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商。

我想是因为我不够温柔是什么歌 我想是因为我不够温柔是谁唱的　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品我想是因为我不够温柔是什么歌 我想是因为我不够温柔是谁唱的ong>

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。