大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶圆吴亦凡的案件是怎么回事，吴亦凡事件立案了吗原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作吴亦凡的案件是怎么回事，吴亦凡事件立案了吗。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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