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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng画的作者是谁 画的作者是高鼎吗)链(liàn)造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制画的作者是谁 画的作者是高鼎吗，或(huò)将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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