大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(台积电是做什么的，台湾台积电是什么意思sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhō台积电是做什么的，台湾台积电是什么意思ng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供(gōn台积电是做什么的，台湾台积电是什么意思g)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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