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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(爱屋及乌是什么意思解释，爱屋及乌是什么意思英语nián)年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)爱屋及乌是什么意思解释，爱屋及乌是什么意思英语原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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