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中国有几个党派,中国有几个党派组织

中国有几个党派,中国有几个党派组织 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

  据(jù)网信(xìn)办消息(xī),日前(qián),网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

  审(shěn)查发(fā)现,美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险,影响我国国家(jiā)安全。为此,网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规,我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止采(中国有几个党派,中国有几个党派组织cǎi)购美(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

  此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查,目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全,是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放,只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要求,欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

  半导(dǎo)体突发!中国(guó)出手:停(tíng)止采购!

  3月31日(rì),中国网(wǎng)信网发文(wén)称,为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链安全,防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险,维护国家安全,依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络(luò)安(ān)全法》,网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

  半(bàn)导体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头,也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为(wèi) 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

  中国有几个党派,中国有几个党派组织美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降,至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商,采购约(yuē)31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约,确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性,巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势,公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

  有券商此前就分析,如果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制,或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士,国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

  分析称(chēng),长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加中国有几个党派,中国有几个党派组织工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu),同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60:1的(de)深(shēn)孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披(pī)露,薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储被加入美国限制名单(dān),设(shè)备(bèi)国产化进程加速,看好拓荆(jīng)科(kē)技(薄膜(mó)沉积)等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng),以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)(CMP)、盛美上(shàng)海(hǎi)(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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