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　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)定向直招士官到底是不是坑，定向直招士官是个坑亲身经历g>

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全定向直招士官到底是不是坑，定向直招士官是个坑亲身经历审查(chá)，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过(guò)美(měi)光(guāng)等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变定向直招士官到底是不是坑，定向直招士官是个坑亲身经历使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。