大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外擅长和善于的区别，擅长和善长的区别造句三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器(qì)的生(sh擅长和善于的区别，擅长和善长的区别造句ēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可擅长和善于的区别，擅长和善长的区别造句能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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