大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查燃气换金属管是骗局吗，燃气需要换金属管吗ng>

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(燃气换金属管是骗局吗，燃气需要换金属管吗jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。