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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜描写瘦西湖春天的诗句，扬州瘦西湖美景佳句沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(hu描写瘦西湖春天的诗句，扬州瘦西湖美景佳句á)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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