大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信(正负数加减法则顺口溜有哪些题目，正负数加减法则顺口溜有哪些呢xìn)息基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全，是维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存(cún)正负数加减法则顺口溜有哪些题目，正负数加减法则顺口溜有哪些呢储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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