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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法(fǎ)为什么负负得正怎么推理，乘法为什么负负得正》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数(shù)据(jù)等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美为什么负负得正怎么推理，乘法为什么负负得正(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。

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