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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品进行网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产瓦格纳是哪个国家的，瓦格纳集团是什么组织(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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