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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关左眉毛有一根特别长是什么意思？键信息基础设施(shī)安(ān)全(q左眉毛有一根特别长是什么意思？uán)，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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