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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国(guó)内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(j爬到底是什么结构的字啊，爬是什么结构的字,是先外后内吗ī)）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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