大家好(hǎo)，来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美(měi)光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企(1ma等于多少a，1ua等于多少aqǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应1ma等于多少a，1ua等于多少a商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较1ma等于多少a，1ua等于多少a高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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