大(dà)家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务值勤执勤的区别，值勤跟执勤的区别进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 94.值勤执勤的区别，值勤跟执勤的区别35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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