大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网10的负3次方等于多少 10的负3次方平方厘米等于多少平方米络安(ān)全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Mic10的负3次方等于多少 10的负3次方平方厘米等于多少平方米ron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)10的负3次方等于多少 10的负3次方平方厘米等于多少平方米咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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